Wpływ dodatku donora (Al.) na przewodnictwo półprzewodnika (α-Sn). Linią przerywaną zaznaczonotemperaturę przemiany cyny w odmianę metaliczną [5]. Idealny kryształ jest pojęciem fikcyjnym i nawet najczystsze materiały, jakie udaje się otrzy-mać zawierają obce atomy. Normalnie osiągany stopień czystości (materiał „półprzewodni-kowo czysty”) odpowiada stężeniu zanieczyszczeń rzędu 1014–1016 atomów⋅cm-3. Elektronynależące do atomów tych zanieczyszczeń mają energie leżące pomiędzy pasmem walencyj-nym a pasmem przewodnictwa, a więc w zakresie energii wzbronionych dla elektronów ma-cierzystego materiału. Jeśli zanieczyszczenie tworzy roztwór substytucyjny, przy czym atomzanieczyszczenia ma większą liczbę elektronów walencyjnych niż atomy sieci macierzystej (Pw Ge), to atom taki będzie mógł łatwo oddać nadmiarowy elektron do pasma przewodnictwastanowiąc lokalny poziom donorowy. Jeżeli ma niedomiar elektronów (B w Ge), uzupełni gopobierając jeden elektron ze zbioru elektronów w paśmie walencyjnym, powodując powstaniew nim dziury. Atom taki stanowi lokalny poziom akceptorowy. Zwykle jeden rodzaj pozio-mów dominuje; gdy są to poziomy donorowe, mówimy o półprzewodniku typu n, gdy –akceptorowe – o półprzewodniku typu p. Schemat poziomów energetycznych półprzewod-nika z domieszkami, czyli półprzewodnika niesamoistnego przedstawiono na rys. 4.5
